河北工业大学教授张紫辉带来了题为“基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析”的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种参数对载流子输运及载流子复合过程的影响；并介绍了基于4H-SiC的雪崩光电探测器的数值模拟及实验工作。