特阿卜杜拉国王科技大学的Kazuhiro OHKAWA教授介绍了《AlGaN 材料MOCVD生长优化和反应器设计》研究报告。报告中，在较宽的压力、Al /（Ga + Al）比例和温度范围内成功仿真AlGaN生长。考虑到适量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生长速率和组分与实验中的非常一致。这一技术使我们有可能优化氮化物MOCVD并设计升级反应器。