俄罗斯STR 集团有限公司Mark RAMM介绍了《塑造μ-LED芯片形成内部微反射器，提高出光效率的一种方式》主题报告。他表示，微型LED在极高电流密度下工作的光源，其器件自热、由俄歇复合引起的效率下降和表面复合成为限制器件性能的主要因素。特别是当器件尺寸减小时，表面复合导致μ-LED峰值效率向更高电流密度处偏移且数值降低。早期对μ-LED的研究主要集中在它们的电流调制特性上。直到最近，效率提高才成为μ-LED的研究热点。通常，μ-LED的外量子效率（EQE）的最大值不超过10％，这归因于来自LED管芯的非最佳出光。 最近报道了一个10×10 μm2的器件在35 A / cm2的电流密度下，得到了40.2%的EQE值，其到硅片的出光折射率为1.41 [1]。这些μ-LED使用异形蓝宝石作为LED结构的衬底，并最小化器件发射表面上的金属电极面积，以改善它们的LEE。