北京大学陈志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》报告中指出，我们制作不同直径微柱μLEDs不同波长和不同的基质。测量了电致发光(EL)谱和电流-电压(I-V)曲线。高饱和电流密度达到300 kA / cm2 20μm紫外线导致氮化镓衬底。效率为μLEDs下垂也大大提高。采用横光软件模拟高注入水平下的输运和重组过程。综合量子漂移-扩散模型考虑了多体效应。并介绍了超高注入机理。