化合物半导体是未来核心材料，市场逐步扩大，全球各大厂商都在布局化合物半导体产业链，在功率器件、射频器件，与终端消费电子领域有极大市场。三安光电成为国内布局化合物半导体的佼佼者和代表企业，从2014年开始布局化合物半导体，依靠其在LED领域对GaN技术的理解，更快的转化原有优势，实现业务的全面布局。

 

三安集成电路有限公司陈东坡博士做了题为“三安光电化合物半导体发展规划与进展”的主题报告，结合化合物半导体的发展态势，分享了三安光电的产业布局及业务进展等内容。

 

报告指出，化合物半导体有三大主要应用领域，包括微波射频、电力电子和光电子。2023射频元件市场预计达到350亿美元其中，2017-2023年，滤波器 CARG 达19%, PA CARG达 7%。高集成度手机 FEM 已是中高端手机必备。通信市场是氮化镓射频器件增长的主要驱动力，2023年氮化镓射频市场规模13亿美元，通信市场是最大的市场。SiC 在高功率转化方面应用广泛，GaN 在高频转换方面应用广泛。

 

2023年SiC功率电子器件市场预计超15亿美元，电动汽车已迎来爆炸式成长 (OBC, Tesla PCU, 充电桩), 未来是碳化硅电力电子主要成长动力，马达驱动，电源供应，光伏，不断电系统等需求亦持续增长。

 

VCSEL迎来爆发式增长，Datacom是VCSEL第一个大规模应用；当前消费类应用需求大增， 未来汽车和工业应用将产生更大的需求。VCSEL技术升级比以往更快，在消费类市场带动下，2023市场规模年达到35亿美金，未来6年的复合成长率有望接近50%。

 

陈东坡表示，三安光电将围绕云(数据中心)、管（通讯网络）、端（用户终端）等提供解决方案。目前三安光电在Mini /micro LED、射频、滤波器、电力电子、光通信等领域均有进展。其中，Micro-LED研究方面，已开发出直径为20μm的Micro LED产品，三安还将生产4μmLED和10μm的LED倒装芯片。计划在2019年底前开始生产用于智能可穿戴设备、100英寸以上大尺寸面板和汽车尾灯等小尺寸面板的Micro LED产品。

 

集成氮化镓功率器件，基于较为成熟的650V工艺，扩展其它领域的应用（大电流、高压/低压等）。(下一阶段) 针对200/100V技术，开发更具有成本竞争力的产品。

 

SiC/GaN技术方面，三安可以一站式提供衬底，外延, 芯片制造及封装、成品与代工制造。产业化推进方面，现有年产能9.6万片/年(6寸)，全面达产后将形成36万片/年的规模。