西安电子科技大学教授张金风做了题为“金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展”的主题报告。她介绍说，金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，耐击穿，载流子迁移率高，热导率极高，抗辐照等优点。在热沉，大功率、高频器件，光学窗口，量子信息等领域具有极大应用潜力。 报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示，实现室温下高电离率的体掺杂尤其是N型掺杂仍然比较困难，主要在高压二极管方面有一些应用；而场效应管器件主要依靠氢终端金刚石P型表面电导来实现。氢终端金刚石场效应管已经实现了饱和输出电流密度1.3A/mm，击穿电压2kV，截止频率53GHz，最大振荡频率120GHz，1GHz连续波输出功率密度3.8W/mm等器件性能。