随着半导体照明的发展，尤其是室内照明的推进，人们对其效率和显色指数（Color rendering index, CRI）等品质参数等提出了更高的要求。中南大学教授汪炼成做了题为“设计制造复合金属等离激元同时提高GaN LED效率和显色指数研究”的主题报告。 汪炼成科研方向为集成宽禁带半导体器件和系统，在GaN LED 方面有近10年科研经历，近5年以第一/通讯作者发表SCI论文40余篇，引用次数744次，申请专利38项，已授权13项，成功制备性能国内领先、国际一流垂直结构LED，开拓了石墨烯透明电极在LED中应用。自2017年回国在中南大学建设了第三代半导体平台和团队，致力于次世代GaN LED、高温高功率IGBT模块封装和可靠性方面研究。 利用GaN基蓝光LED芯片激发黄色荧光粉YAG：Ce制备白光LED是目前最主要的技术路线，其仍存在的主要问题有：一是流明效率仍较低，且随电流增大而降低严重，即流明效率droop现象；二是显色指数较低，在大电流密度工作条件下退化，难于同时获得高流明效率、高CRI值、光谱可调的白光LED。通常而言，CRI值和流明效率呈反向变动趋势，提高CRI会使在此CRI值下的理论极限流明效率降低。 报道采用复合金属纳米颗粒（metal NPs）、宽谱荧光粉和窄谱量子点作为白光LED的复合荧光材料，同时提高白光LED的流明效率和显色指数：一是设计制造复合metal NP产生的金属局域表面等离激元（Localized surface plasmon resonance，LSPR），同时提高斯托克斯转换效率，和荧光效率；二是宽谱荧光粉和窄谱量子点结合，实现具有高显色指数、光谱可有效调控的全光谱白光。