报告中介绍了，由于异质结、界面固定电荷、超低本征载流子密度和量子化态密度的存在，gaas和GaN等宽禁带半导体的设计和TCAD模拟与硅半导体有很大的不同。本文概述了几种常用的基于宽带隙的器件在设计和仿真中面临的挑战和实际方法。对于GaN基LED和微型LED，俄歇复合结合非局域热载流子泄漏和量子隧穿决定器件性能，必须在TCAD软件中进行精确处理，当正向肖特基二极管泄漏或介质击穿成为主要的击穿机制时，通常不存在雪崩击穿。TCAD仿真网格的构建必须保证在高电压下的精确场分布是一致的。针对射频应用方面，栅极的高频寄生效应需要在AC分析中考虑到。
加拿大CROSSLIGHT半导体软件公司创立人兼总裁李湛明：宽禁带器件的设计和TCAD模拟
2021-04-27 播放:3244
加拿大CROSSLIGHT半导体软件公司创立人兼总裁李湛明分享了《宽禁带器件的设计和TCAD模拟》研究报告。早年经华人诺奖得主李政道博士创立的中美联合培养物理类研究生计划（CUSPEA）前往北美留学。曾在加拿大国家研究署工作，其间从事半导体激光器的模拟仿真开发，并使其成为全球第一个商用激光器仿真软件。1995年创立加拿大CROSSLIGHT半导体软件公司， 现已成为全球光电器件及化合物半导体仿真领域知名度最高的商业软件公司。李博士是著名光电器件国际学术会议—NUSOD的创始人，也作为技术核心领头人创办了GaNPower International 等半导体芯片公司。