报告中，介绍了200mm E模40-650V GaN-on-Si功率HEMTs，具有最先进的电气性能、低寄生和易用的封装、成功的JEDEC认证、无dRdson和高功率系统效率。他认为，200mm GaN-on-Si功率技术是为电力电子行业准备的大规模采用。

 

首先介绍了100V和650V GaN-HEMTs的电学特性，即100V和650V器件的Vth分别为~1.5V和~2.5V，具有真正的E模工作特性和超低漏电流。然后，展示了200毫米晶圆的GaN-HEMTs电图，显示出良好的均匀性和再现性。然后介绍了40V/100V和650V器件的WLCSP和DFN封装类型。首次报道了在200mmsi衬底上成功实现40V/100V GaN晶体管的JEDEC鉴定。对于100V和650V设备，还演示了几乎动态的无Rdson操作。最后得到了40V GaN-HEMTs的35W DC-DC buck变换器和650V GaN-HEMTs的45W AC-DC变换器的峰值效率分别为96.58%和94.15%。