报告首先对常关型AlGaN/GaN HFET的发展将进行总结。具有p GaN帽层结构的常关型AlGaN/GaN HJFET进行介绍，在这其中的本征无掺杂GaN将被作为在p GaN帽层和AlGaN阻挡层之间的隔离层，其作用是减轻Mg的扩散。p-GaN帽层的E型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HJFETs），20nm的阻挡层能有效地阻挡Mg向AlGaN/GaN异质结的扩散，获得了 1200 cm2V-1s-1的沟道迁移率，提出了具有金属绝缘体半导体（MIS）结构的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HJFET）电介质。采用ICP辅助低温工艺制备了自对准栅（SAG）结构，获得了1.6 V的阈值电压，显示出了正极性位移。由于SiN介电常数，正向BiARs中的栅极电流被动态地抑制了1500 cm2/Vs的最大场效应迁移率。基于这种结构还提出了带有金属绝缘半导体结构的AlGaN/GaN HJFET。
日本德岛大学教授敖金平：常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展
2021-04-27 播放:3225
日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平分享了《常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展》技术报告。敖金平博士1989年毕业于武汉大学物理系，获学士学位。1992年获电子工业部第十三研究所半导体物理与半导体器件物理硕士学位。2000年获吉林大学微电子学与固体电子学博士学位。2001年赴日本国立德岛大学作博士后研究员，2003年11月起加入德岛大学并于2012年升任准教授。2016年起任西安电子科技大学特聘教授，博士生导师。主要从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作。敖博士是国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员，美国电气化学协会(ESC)会员，日本应用物理学会会员以及日本电子情报通信学会会员。