苏州能讯高能半导体有限公司 董事长 张乃千 　　张乃千董事长技术出身，实力雄厚。1995年清华大学电子工程系本科毕业，2002年在加州大学圣塔巴巴拉分校获得电子工程博士学位。在攻读博士期间，他采用表面钝化技术在业界率先解决了困扰氮化镓（GaN）器件射频功率输出的电流崩塌效应，为氮化镓微波器件的产业化铺平了道路。他还开发出了世界上第一个氮化镓电力电子器件，开启了氮化镓应用的新篇章和一个全新的产业。张乃千2002年在RFMD任职，主持开发基站GaAs和GaN射频功放器件；2006年任职于Fultec，开发出业界首个2千伏GaN开关器件。后于2007年回国创办了能讯半导体并任总裁。 　　能讯是中国首家第三代半导体氮化镓电子器件设计与造商业企业，自主进行氮化镓外延生长、晶圆造、内匹配与封装等，在昆山拥有一条年产200万只氮化镓射频功率器件的生产线已开始量产。公司还承担了国家多项科研任务，正致力于氮化镓电力电子器件的产业化。因其在电子元器件领域所作出的突出贡献，以及在中国开展第三代半导体产业化的开拓性努力，张乃千2009年入选首批中组部“千人计划”国家特聘专家。