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中国科学院微电子研究所研究员龙世兵:基于(100) β-Ga2O3 单晶的肖特基二极管和MOS电容
2022-02-10  播放:2147


中国科学院微电子研究所研究员龙世兵分享了基于(100) β-Ga2O3 单晶的肖特基二极管和MOS电容的研究成果。基于β型氧化镓所生产的一些器件在能源使用中发挥着重要的作用。能源使用的安全性是一个重要问题,在自然能源不断减少,价格不断上升的背景下,我们需要找到一个更加有效的方式来利用能源。当前在高电压应用领域,包括高铁和智能电网等,硅仍然是主导材料,但有一定局限性,比如禁带比较窄等。与宽禁带材料相比,有弱势的地方。
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