中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员刘建平在做“镓氮基蓝光与绿光激光二极管的发展”报告时表示，对GaN基蓝色和绿色的激光二极管（LD）的研究已经引起人们的广泛关注，在过去的几年里，为了满足激光显示应用的需求。我们提高了发光均匀性和减少基蓝光LD结构面自支撑GaN衬底上生长GaN的内部损失。同质外延GaN层的形貌是由边角料取向和GaN衬底角度很大的影响。并且通过工程InGaN/GaN量子阱的界面，我们已经实现了绿色激光器结构1.85 kA cm-2低阈值电流密度。在室温连续波作用下，绿光LD的输出功率为100毫瓦。