瑞典查尔姆斯理工大学副教授Jie SUN带来了关于GaN光电器件CVD石墨烯透明电极研究进展，让与会代表拍手称赞！ 石墨烯传统上是通过石墨机械剥落制备的，且大面积单层石墨烯的制备很有挑战性。为此，化学气相沉积（CVD）在过渡金属上石墨烯最近被发展。自2009年以来，在Chalmers我们已经在金属箔（Cu，Pt，Ta等）上生长了单层石墨烯，在硅衬底上蒸镀了金属薄膜.9-9 CH4或C2H2作为反应物，石墨烯通过商业直冷式Aixtron系统生长。通过湿化学法蚀刻铜或更环保的电化学气泡分层，石墨烯可以转移到其他基底，如SiO2 / Si。通过场效应和霍尔效应测试，电子和空穴的载流子迁移率约为3000 cm2 /（Vs）。一些器件显示出迁移率为?5000 cm2 /（Vs）。 Jie SUN教授表示，我们在做无金属催化剂时，直接用CVD法在绝缘子上生长石墨烯。沉积的石墨烯是纳米晶体、面积大且均匀。尽管与催化石墨烯相比，其迁移率（40 cm2 /（Vs））较低，但其透明度（97%）和电导率（1-几kΩ/□无有意掺杂）与标准石墨烯相似，使得无转印石墨烯非常有望应用于透明电子器件和分子电子学。石墨烯可以在耐高温的任意电介质上生长。我们提出了一种新型的非催化CVD（与金属上的催化石墨烯CVD相对）的机理来解释我们的实验结果。催化和非催化的石墨烯都可以悬浮，有希望用于纳米机电系统（NEMS）。