南京电子器件研究所高级工程师吴少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的报告。围绕高输出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吴少兵详细介绍了器件技术与制造工艺 、MMIC设计、MMIC的表征等内容，介绍了一种采用Lange桥耦合及微带匹配的平衡式4级功率放大器。器件采用电子束直写工艺在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的“T”型栅结构以及最新成果。 吴少兵一直从事固态微波毫米波器件的研发工作。作为项目负责人，主持开发了基于0.1um GaN工艺的W波段功率放大器，基于70nm InP工艺的W波段低噪声放大器及50nm G波段InP及GaN器件等，工艺水平及器件性能指标达到W波段领域的国际先进水平。