中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红介绍了关于解决InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）应用的漏电大和可靠性差的瓶颈问题方法的研究成果。冯志红研究员现任中国电子科技集团公司首席专家，国际电工技术标准委员会专家，研究方向为太赫兹固态电子器件、先进半导体材料与器件。 其中，冯志红表示，氮化镓与氮化铝是非常好的搭配，会带来比较高的功率，相比其他一些结构更加优化，也有很多应用。人们希望可以将氮化镓应用到5G等领域，希望增加输出功率。结合具体的建模分析，冯志红表示，降低延迟，为了获得信号而降低频率并不是一个很好的方式。寻求新的技术和结构，超薄的屏障层，较低的层级电阻，较高的击穿是非常重要的。此外，冯志红还介绍了两种结构对于AIN的挑战，以及关于可靠性的研究成果。