英国布里斯托大学教授Martin KUBALL做了关于极限GaN射频FETs - GaN-on-Diamond技术的报告，具体介绍了该技术的研究背景，并结合相关数据，介绍了该技术的研究成果，及未来的一些应用领域。 其中，Martin KUBALL表示氮化镓的发展势头很强劲，当前，通讯、雷达等应用依旧是建立在碳化硅衬底氮化镓基础上的，随着数据化的发展，需要的能量越来越多，而碳化硅上的氮化镓也会有局限，开发金刚石衬底是一个不错的尝试。Martin KUBALL详细分享了当前开发GaN-on-Diamond的技术进展，包括稳定性、可靠性，以及以金刚石衬底的优势和挑战。他表示，虽然目前尚没有商用，但从一定角度来说，金刚石衬底氮化镓不应该比碳化硅基氮化镓更贵。此外，可以有不同材料的集成，比如氮化镓是很好的射频材料，可以与其他材料进行结合，目前其团队已经在做相关的测试。