德国ALLOS Semiconductors GmbH市场总监Alexander LOESING带来“无碳掺杂GaN-on-Si大外延片实现低漏电流”报告。 “我们已经在（111）硅衬底上通过MOVPE生长了150mm的硅衬底GaN外延片；并且已经通过增加GaN厚度到7 ?m能够显示有效的隔离。同时，已经可以展示进一步提高晶体质量提高隔离效果；在XRD下的FWHM为 330arcsec（002）和420arcsec（102）。最后我们证明了通过优化GaN和Si衬底之间核/缓冲层以及GaN层的插入层的特殊的叠层设计可以减少漏电流。”德国ALLOS Semiconductors GmbH市场总监Alexander LOESING在演讲时表示。