- 日本京都大学教授Naoki SHINOHARA：太阳能卫星及相关波束无线电力传输技术的最新研发进展
- 2023-05-221058 次播放
- 西安电子科技大学王鹏飞；双阈值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于优化Ka波段高电场线性度的多指漏极板研究
- 2023-05-22950 次播放
- 昂瑞微电子副总经理黄鑫：国产突破，中国射频前端产业引领5G 芯时代
- 2023-05-221025 次播放
- 山东大学新一代半导体材料研究院研究员崔鹏：电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs
- 2023-05-221086 次播放
- 中国电科十三所正高级工程师杜鹏搏：47GHz-52GHz功率放大器芯片套片设计
- 2023-05-22984 次播放
- 南京理工大学副教授黄同德：28GHz氮化镓基时间调制波束成形系统
- 2023-05-221065 次播放
- 能讯高能半导体副总裁裴轶：氮化镓推动5G、射频能源及其他领域的创新
- 2023-05-221066 次播放
- 复旦大学教授黄伟：宽带GaN毫米波新器件研究
- 2023-05-22901 次播放
- 国博电子副总经理钱峰：5G移动通信用化合物器件研究
- 2023-05-22894 次播放
- 西交利物浦大学朱昱豪：35-5V单片集成GaN基DC-DC浮动降压转换器
- 2023-05-22716 次播放
- 中科院宁波材料所戴贻钧：无等离子体损伤GaN HEMT极化隔离的设计与优化
- 2023-05-22684 次播放
- 中科院苏州纳米所助理研究员钟耀宗：功率HEMT的p-GaN栅极可靠性及其加固方法
- 2023-05-22717 次播放
- 中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员胡卫国：AlGaN/GaN HEMT能带工程和界面调制
- 2023-05-22966 次播放
- 电子科技大学博士陈匡黎： p-GaN Gate HEMT器件阈值稳定性及其机理
- 2023-05-22795 次播放
- 美国弗吉尼亚理工大学助理教授张宇昊：中高压（1-10 kV）氮化镓功率器件新进展
- 2023-05-221534 次播放
- 润新微电子副总经理王荣华：后快充时代的氮化镓功率器件产业化
- 2023-05-22642 次播放
- 南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇：Si基GaN器件及系统研究与产业前景
- 2023-05-221048 次播放
- 南京邮电大学博士刘建华：氮化镓功率器件耐压理论与电场均匀化技术研究
- 2023-05-22889 次播放