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专家观点
美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在过压开关中的鲁棒性
2021-09-15
唐晶量子龚平:6 inch GaAs基VCSEL和射频外延技
2021-09-15
厦门大学梅洋:氮化镓基VCSEL技术进展
2021-09-15
南京大学徐尉宗:面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
2021-09-15
南京邮电大学张珺:基于人工神经网络的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技术
2021-09-15
中电科五十五所刘强:碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展
2021-09-15
奥趋光电吴亮:AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望
2021-09-15
安徽芯塔电子科技倪炜江:高性能高压SiC器件设计与技术
2021-09-15
西安交通大学李强:大面积hBN薄膜制备及电阻开关特性研究
2021-09-15
苏州晶湛半导体向鹏:用于新型GaN功率器件的外延技术进展
2021-09-15
中电科第十三研究所郭建超:金刚石微波功率器件研究
2021-09-15
爱发科左超:量产高性能功率与射频器件的 ULVAC装备技术
2021-09-15
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