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专家观点
第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山:中国功率与射频技术市场现状及未来展望
2021-09-15
中国电科首席科学家陈堂胜:低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件
2021-09-15
湖南国芯半导体科技戴小平:SiC模块封装技术探讨
2021-09-15
云南锗业公司首席科学家惠峰:VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片研制及应用
2021-09-15
Crosslight创始人李湛明:将GaN功率器件推向极限——材料和TCAD视角
2021-09-15
东南大学教授刘斯扬:SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展
2021-09-15
中国科学技术大学龙世兵:低成本高性能氧化镓功率器件
2021-09-15
启迪半导体钮应喜:碳化硅外延装备及技术进展
2021-09-15
南京工业职业技术大学雷建明:GaN功率开关器件及其高频电源应用
2021-09-15
美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:超过SiC限制的 1.2-10 kV GaN功率器件
2021-09-15
中科院上海微系统研究所郑理:SOI基GaN材料及功率器件集成技术
2021-09-15
电子科技大学邓小川:极端应力下碳化硅功率MOSFET的动态可靠性研究
2021-09-15
南京大学陈鹏:低开启/超高压GaN肖特基功率器件研究新进展
2021-09-15
南京大学叶建东:氧化镓双极型异质结功率器件研究
2021-09-15
青岛聚能创芯刘海丰:面向快充应用的GaN材料和器件技术
2021-09-15
南京航空航天大学张之梁:1kV宽禁带LLC变换器控制与应用
2021-09-15
西交利物浦大学刘雯:硅基GaN MIS-HEMT单片集成技术
2021-09-15
南砂晶圆彭燕:碳化硅与金刚石单晶衬底技术与产业化研究
2021-09-15
北京大学杨学林:Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
2021-09-15
美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:氧化镓功率器件制备与封装技术
2021-09-15
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