2025年4月23日，在第三届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)期间，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）（以下简称“联盟”）正式发布2项SiC单晶生长用等静压石墨标准：

T/CASAS 036—2025《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法》

T/CASAS 048—2025《碳化硅单晶生长用等静压石墨》

两项标准的发布，旨在为碳化硅（SiC）单晶生长技术的规模化、高质量发展提供关键支撑。

· 

杨富华　第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长、标准化委员会主任

周　明　赛迈科先进材料股份有限公司总经理 

肖青平　北京北方华创微电子装备有限公司工艺总监

徐明升　山东大学教授

彭棒棒　湖南三安半导体有限责任公司销售总监

董　娟　山东天岳先进科技股份有限公司知识产权经理

刘晓星　山西烁科晶体有限公司市场技术经理 

杨兰芳　第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长

共同见证2项SiC单晶生长用等静压石墨标准的发布。

标准制定背景

技术创新与技术标准结合往往决定了产业的发展方向和产业价值链的分配比。

2024年，我国SiC衬底产量120万片，同比增长60%，占全球供给的三分之一，进入全球第一梯队。这离不开20年来SiC衬底研发的持续投入，离不开供应链企业的共同努力。 

等静压石墨是PVT法生长SiC单晶的重要耗材，占SiC衬底生产物料成本的30%，其国产化、产业化、规模化推动了SiC成本的持续降低，加快了SiC器件更广泛的应用于光伏、储能、工业变频，为我国的双碳战略贡献力量。

标准点评

 

联盟副理事长兼秘书长杨富华致辞中表示，标准已从传统意义上的产品互换和质量评判的依据上升为产业整体发展战略的重要组成部分，成为事关产业发展的基础性、先导性和战略性工作。本次碳化硅单晶生长用等静压石墨两项标准的发布，标志着我国在高端碳材料领域迈出坚实的一步。联盟目前围绕产业链上中下游协同，规划制定标准60余项，以树立行业信心，助力新兴市场开拓，支撑产业的高质量发展。联盟欢迎更多的产业力量参与进来，以标准为引领，以创新为驱动，共同构建开放、共享、可持续的第三代半导体产业生态体系。

 

赛迈科先进材料股份有限公司总经理周明致辞中说到，高纯度等静压石墨是化合物半导体制程中的重要零部件耗材，尤其在碳化硅单晶生长中，石墨材料的纯度控制、性能控制、科学应用，极大的影响了晶体生长的质量和良率。石墨热场材料是否稳定可控，成为了各衬底企业单晶生长环节的重要生命线之一。今天这2项团体标准的发布，也标志着我国化合物半导体领域用石墨及碳材料产品迈向了更高水。感谢参与本次标准编制的各用户单位、高校、院所，为标准的起草提供了很多基础数据、产品使用情况参考和宝贵意见。下一步，赛迈科将在联盟指导下，继续推进功能石墨材料、石墨基复合材料、材料测试方法的标准建设，进一步提升行业标准水平，把“好材料”推向“好用户”，从“国产化”到“走出去”。

 

第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长兼标准化委员会秘书长高伟博士主持发布会。

 

未来，CASA联盟将继续围绕第三代半导体材料、器件及应用，加速关键标准研制与国际化布局，助力第三代半导体产业在全球价值链中占据更高位势。