2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）&第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心G馆举办。
乾晶半导体有限公司将亮相此次展会。诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚论坛，莅临C02号展位参观交流、洽谈合作。
公司简介
乾晶半导体有限公司2020年7月成立于浙江大学杭州国际科创中心，专注于第三代半导体材料领域，是一家集半导体碳化硅单晶生长、晶片加工和设备开发为一体的高新技术企业。公司的核心团队来自于浙江大学硅材料国家重点实验室，与浙大科创中心先进半导体研究院成立联合实验室共同承担SiC材料的产业化任务，力争在三到五年内打造成为国际知名的第三代半导体材料品牌和标杆企业，为第三代半导体产业提供有力支撑。
IVSEMITEC CO., LTD. was established in July 2020 at the Hangzhou International Science and Technology Innovation Center of Zhejiang University (ZJU-HIC). It focuses on the field of third-generation semiconductor materials and is a high-tech enterprise that integrates semiconductor silicon carbide single crystal growth, wafer processing, and equipment development. The core team of the company comes from the State Key Laboratory of Silicon Materials of Zhejiang University. It has established a joint laboratory with the Advanced Semiconductor Research Institute of ZJU-HIC to jointly undertake the industrialization task of SiC materials, and strives to become an internationally well-known brand and benchmark enterprise of third-generation semiconductor materials within three to five years, providing strong support for the third-generation semiconductor industry.
产品简介
6英寸导电型4H-SiC衬底
直径：(150 ± 0.2) mm
厚度：(350 ± 25) μm
导电类型：n-type
晶面取向：(0001) 向 [11-2 0]偏4度
微管密度：≤0.1 /cm2
位错密度：TSD≤100/cm2 ; BPD≤500/cm2
应用方向：SiC SBD 或者SiC MOSFET
产品类型：抛光片（Epi-ready）
8英寸导电型4H-SiC衬底
直径：(200.0± 0.2) mm
厚度：(500 ± 25) μm
导电类型：n-type
晶面取向：(0001) 向 [11-2 0]偏4度
微管密度：≤0.2 /cm2
位错密度：TSD≤300/cm2 ; BPD≤1000/cm2
应用方向：SiC SBD 或者SiC MOSFET
产品类型：抛光片（Epi-ready）
6英寸导电型碳化硅晶锭
直径：(150 ± 0.25) mm
厚度：10~20mm
导电类型：n-type
晶面取向：(0001) 向 [11-2 0]偏4度
产品类型：晶锭
8英寸导电型碳化硅晶锭
直径：(200.0± 0.2) mm
厚度：10 ~ 20 mm
导电类型：n-type
晶面取向：(0001) 向 [11-2 0]偏4度
产品类型：晶锭
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