国家知识产权局信息显示，联合微电子中心有限责任公司取得一项名为“一种半导体器件”的专利，授权公告号CN 221960980 U，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件，其特征在于：衬底，衬底具有第一导电类型；第一层，第一层位于衬底上方；第一区域，第一区域位于第一层上方，并且；第二区域，第二区域位于第一区域上方；第三区域，第三区域位于第一层上方、以及在第一区域和第二区域的一侧；漏极区域，漏极区域位于第二区域中；源极区域，源极区域位于第三区域中；栅极隔离体，栅极隔离体嵌入在第二区域中，并且，栅极隔离体位于源极区域与漏极区域之间；第一栅极，第一栅极位于第二区域和第三区域上方、以及源极区域与栅极隔离体之间；以及第二栅极，第二栅极包括在栅极隔离体上方的第一部分。