天眼查显示，上海芯导电子科技股份有限公司“一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法”专利公布，申请公布日为2024年10月11日，申请公布号为CN118763074A。

本发明的技术方案提供了一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法，通过在所述第一区域内设置依次排布的所述第一P型掺杂区和所述第一N型掺杂区，以构成二极管；通过在所述第二区域内设置依次排布的所述第二P型掺杂区、所述第四N型掺杂区、所述第二N型掺杂区、所述第五N型掺杂区和所述第三P型掺杂区，以构成SCR器件；通过在所述第三区域内设置依次排布的所述第三N型掺杂区和所述第四P型掺杂区，以构成二极管。基于上述技术手段，使静电防护结构集成了二极管和SCR结构，从而降低静电防护结构在大电流下的钳位电压。同时，因为集成的二极管和SCR结构形成对称结构，所以可以忽视所述第一电极和所述第二电极的正反接。