在国内外同行重点关注氧化镓单晶材料研制的同时，杭州富加镓业科技有限公司（以下简称富加镓业）提前布局氧化镓外延技术攻关。在国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目支持（项目编号：2022YFB3605500）支持下，研制了高性能MBE外延片，并与国家重点研发计划项目器件团队合作，成功制备了击穿电压大于2000V，电流密度为60 mA/mm的MOSFET横向功率器件，与进口同类型外延片制备器件性能相当。

01产品规格

富加镓业提供分子束外延技术（MBE）制备的氧化镓外延片产品，采用非故意掺杂层与Sn掺杂层复合的双层外延结构，衬底材料为半绝缘型（010）Fe掺杂氧化镓，主要应用于横向功率器件。常规产品掺杂层载流子浓度为1-4E17cm^-3，迁移率＞80 cm²/V·s，表面粗糙度＜2 nm。 

02 验证结果

国家重点研发计划项目合作器件团队对该款MBE氧化镓外延片产品进行了初步流片验证，12 μm栅漏间距氧化镓MOSFET器件电流密度为60 mA/mm（图a），比导通电阻约为42 mΩ∙cm²，击穿电压可达2242 V（图b），与采用进口同类材料的器件性能相当。富加镓业也将根据器件研制反馈结果，持续改进和优化，对外延产品进行新一轮迭代，致力于为下游器件厂商提供稳定可控的高质量氧化镓单晶衬底及外延产品，为我国打造有国际竞争力的氧化镓产业链提供材料保障，实现我国氧化镓基器件全链路贯通。

图a-b 栅漏间距LGD=12 μm，栅极长度LG=1.5 μm时，氧化镓MOSFET的直流输出特性曲线和击穿曲线。

 (来源：杭州富加镓业科技有限公司)