据中国光谷消息，长飞先进武汉基地相关负责人介绍，该项目11月起设备就能进驻厂房，明年年初开始调试，预计5月可以量产通线，随后将开启良率提升和产能爬坡。

长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。

（长飞先进武汉基地效果图，来源：中国光谷）

2023年8月25日，长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷。2023年9月1日正式动工。

今年6月18日，随着晶圆制造厂房最后一斗混凝土完成浇筑，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构正式封顶。

据悉，按照原计划，该项目将于2025年1月设备搬入，2025年7月量产通线，2026年年底达到满产。目前，该项目进度提前了2个月。

长飞先进武汉基地项目位于武汉新城中心片区，由长飞先进半导体（武汉）有限公司出资建设。该项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，应用范围可覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域。

中国光谷消息指出，去年开始，长飞先进在武汉招聘了数百名人才，他们目前在长飞先进芜湖基地的碳化硅产线上积累工作经验。随着生产设备搬入，部分产业人才将分批回到武汉，参与武汉基地设备调试、量产通线工作。