近日，睿创微纳控股子公司睿思微系统（烟台）有限公司（简称“睿思微系统”）在GaN基大功率S波段微波功率放大器的研究中取得重要进展。研发团队通过研究发现AlGaN/GaN HEMT器件在高温、大功率应用场景下性能退化的物理机制，通过优化器件结构，成功将 PA（功率放大器）的增益提高 1dB，效率提升 2.6%。此次在GaN基大功率微波功率放大器领域取得的突破，为后续的产品开发和量产奠定了坚实基础。