国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法”的专利，公开号CN 118824858 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法。涉及功率半导体器件技术领域。包括以下步骤：步骤1，提供N+型SiC衬底，并在N+型SiC衬底上生长N型SiC外延层；步骤2，在N型SiC外延层上通过主沟槽高浓度P+型离子注入，形成主沟槽Pplus屏蔽层；步骤3，在N型SiC外延层上通过主沟槽P型离子注入，形成主沟槽Pwell阱区；步骤4，在N型SiC外延层上通过主沟槽高浓度N+型离子注入，形成主沟槽Nplus区；步骤5，在N型SiC外延层上通过次沟槽高浓度P+型离子注入，形成次沟槽Pplus屏蔽层；步骤6，在N型SiC外延层上通过次沟槽P型离子注入，形成次沟槽Pwell阱区；本发明方法制作工艺简单，效果显著，不仅适用于新型SiC MOSFET功率器件的制造，同样适用于Si，GaN基等半导体器件的制造。