天眼查显示，华润微电子(重庆)有限公司“一种LIGBT器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请公布号为CN118693137A。

本发明提供一种LIGBT器件及其制备方法，该LIGBT器件包括半导体结构、发射极结构、集电极结构、栅结构、浮空接触区、隔离层及二极管结构，其中，半导体结构包括依次层叠的衬底、介电层及外延层；发射极结构包括基区、发射区及发射极接触区；集电极结构包括缓冲区及集电区，缓冲区与基区之外的外延层作为漂移区；栅结构位于基区的上表面；浮空接触区位于外延层的上表层，浮空接触区与集电区间隔预设距离；隔离层位于集电区与浮空接触区之间的外延层的上表面；二极管结构包括位于隔离层上表面且相互邻接的阴极接触区及阳极接触区。本发明通过浮空接触区及二极管结构的设置，消除了集电极电压折回现象，降低了器件的关断损耗与关断时间。