半导体产业网获悉：近日，汉道精密制造年产1.8亿件半导体元器件项目、日月光又一先进封装项目、希磁科技MEMS智能磁传感器核心器件中试研发项目、鑫威源电子氮化镓激光器芯片生产线、星柯先进光电显示产业项目高性能载板项目、泰国首个SiC工厂项目迎来新进展。详情如下：

1、汉道精密制造年产1.8亿件半导体元器件项目开工奠基

10月8日，江苏汉道精密制造年产1.8亿件半导体元器件项目在淮阴区开工。市长顾坤宣布项目开工。

江苏汉道精密制造有限公司董事长晏伟表示，项目从8月26日签约到今天“五证联发”正式开工建设，仅用时42天，体现了淮安高效的政务服务和优质的营商环境。下一步，企业将以更加科学的态度规划施工、更加严谨的管理确保质量、更加高效的协作加快进度，确保项目加速推进、早日竣工投产，为地方经济发展作出积极贡献。

汉道精密制造项目位于淮安高新区，主要从事半导体零部件研发与制造、3C电子产品精密加工等，工装处于行业一流水平，产品广泛应用在手机、平板、汽车制造等领域，建筑面积6.25万平方米，计划购置CNC加工设备2200台。此次汉道精密制造等项目的开工，是淮阴区落实市委八届九次全会、全市高质量发展和重特大项目建设推进会精神的实际行动，也是全区开展百日攻坚突破行动的重要成果，自攻坚突破行动开展以来，全区共开工项目23个，其中10亿元以上项目6个，协议总投资超80亿元，将为提升产业层次、壮大产业实力提供坚实支撑。

2、日月光又一先进封装项目开工，预计2026年完工

日月光K28大社智慧工厂今举行动土典礼，预计2026年完工，高市经发局肯定日月光深耕台湾，除强化竞争力，还可为地方增加近900个就业机会。

日月光高雄厂总经理罗瑞荣表示，公司为满足先进封装制程（CoWoS）的晶圆、终端测试需求，于面积约2公顷的大社基地兴建K27、K28厂房，K27已于2023年启用，今日动土的K28由日月光提供所持有大社土地，宏璟建设提供资金合建厂房，预计兴建地上7楼、地下1楼厂房建筑，以低碳建材盖厂。高市府依行政院核定「工业区更新立体化发展方案」。

3、安徽蚌埠将建设年产约2亿颗MEMS中试研发产线

10月7日上午，希磁科技MEMS智能磁传感器核心器件中试研发项目在市经开区签约。

MEMS智能磁传感器核心器件中试研发项目总投资7亿元，将在中国传感谷建设一条年产约2亿颗MEMS智能线性类、角度类、磁场类磁传感器核心器件中试研发产线。项目的建设，将实现传感器核心器件制造环节的完全自主可控，对助力提升国家自主创新能力具有重要意义。

4、鑫威源电子氮化镓激光器芯片生产线通线试产

9月29日，据武汉鑫威源电子科技有限公司（以下简称：鑫威源电子）官微消息，鑫威源电子近日在高性能氮化镓半导体激光器芯片方面取得重大技术突破，同时氮化镓半导体激光器芯片产线完成通线试产。

鑫威源电子从事氮化镓半导体激光器相关材料、芯片、封装等的设计与开发，以及产品的研发、制造和销售，致力于实现国产氮化镓半导体激光器的产业化。据悉，鑫威源电子投资打造的大功率氮化镓半导体激光器产业化项目，于今年4月在武汉市江夏区大桥智能制造产业园完成厂房建设，无尘车间内的恒温恒湿、净化、水处理及安全系统相继达标并投入使用。

厂房竣工后，鑫威源电子完成了超过一百台套制造设备的安装和调试，打通了芯片制造产线。在厂区内，鑫威源电子还完成了相关技术能力的转移，并进行了产品试验生产。今年9月，鑫威源电子实现了蓝光450nm激光芯片的重大技术突破：阈值电流小于0.25A，功率大于7W@3.5A，光电转换效率WPE达到45%，产品技术可以满足市场对大功率氮化镓半导体激光器的应用要求。

5、总投资310亿元，星柯先进光电显示产业项目高性能载板一号厂房主体封顶

10月8日上午，位于杭绍临空示范区绍兴片区的浙江星柯先进光电显示产业项目，随着高性能载板一号厂房主体封顶，项目再次刷新落地建设的“柯桥速度”。

据了解，该项目将建设高性能载板玻璃项目、高端柔性显示器件项目、战略新兴产业智造基地及研究院项目、MLED显示芯片及模组项目、功率半导体及储能智造项目等。

“年底前实现首条生产线的点火投产，预计释放高性能载板玻璃产能214万片。”现场，公司总经理赵永华信心满满地说道。产业新、项目实、推进快，是“星柯光电”项目的“标签”。

据悉，该项目总投资310亿元，占地700亩，是近三年来我区引进落地的最大规模产业项目。拟建设高性能载板玻璃、战略新兴产业智造基地及研究院等，依托国家工程实验室及“国家科技进步奖”、国家专利金奖的相关技术，聚焦光电显示领域核心，力求打破国际巨头在该领域的垄断，实现国产替代。

6、泰国将投资3.5亿美元建设首个SiC工厂，预计2027年运营

泰国将建立首家碳化硅（SiC）晶圆工厂，预计该工厂将于2027年投入运营，以期在半导体行业取得重大进展。据报道，泰国投资委员会宣布支持Hana Microelectronics和PTT Group成立的合资企业FT1 Corporation，投资115亿泰铢（3.5亿美元）建设泰国首家SiC工厂，该工厂将使用从韩国芯片制造商转让的技术生产6英寸和8英寸晶圆。

该工厂预计将于2027年第一季度投产，以满足汽车、数据中心和储能市场日益增长的需求。泰国投资委员会秘书长Narit Therdsteerasukdi于9月20日率领代表团前往南奔府视察一项重大晶圆制造投资项目的进展情况。他强调了泰国的中立地缘政治立场、有竞争力的成本以及未来扩大生产的潜力。