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冠鼎半导体1.055亿元新建氮化镓项目
日期:2024-09-19  311

 9月9日,江门市生态环境局发布了“冠鼎半导体第三代氮化镓功率半导体生产新建项目”的环评文件受理公告。

公告披露,冠鼎半导体正在推进第三代氮化镓(GaN)功率半导体生产新建项目,该项目位于广东省江门市新会区崖门镇,项目总投资额为1.055亿元,其中环保投资占50万元,施工工期预计为2个月,目前尚未开始建设。项目计划年加工第三代氮化镓功率半导体1500万件,主要生产设施包括万级洁净室和十万级洁净室,将配备固晶机、焊线机、离子清洗机等关键设备。

资料显示,冠鼎半导体成立于2023年8月,为江门市鼎翔电子科技有限公司全资子公司。鼎翔电子成立于2012年6月,是一家集半导体封装材料开发设计制造及方案解决为一体的,专业从事发光二极管(LED)引线框架、塑封三极管引线框架和精密电子元器件生产的工厂。

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