9月10日，长飞先进官微消息，公司武汉基地主楼全面封顶。 

据了解，该基地总投资超200亿元，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，应用范围广泛覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域，致力于打造全智能化、世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂。并且项目达产后，预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块。目前，晶圆厂、封测厂、外延厂、宿舍楼和综合楼已实现封顶；预计十月开始，长飞先进武汉基地将迎来首批设备搬入的重要节点，并于明年6月实现量产通线。