9月4日，据宁波股权交易中心官微消息，浙江萃锦半导体有限公司（以下简称：萃锦半导体）的母公司宁波萃锦科技发展有限公司正在筹划建设面积4.2万平方米的功率器件制造厂房，采用功率半导体中后道特色工艺（FSM+BGBM），打造功率器件生产基地。 

萃锦半导体采用Smart IDM模式，专注于新一代功率半导体的芯片设计、器件研发、生产、销售和应用服务。其致力于在新能源汽车、算力、储能、风电、工业驱动等领域，提供高可靠、高性能的分立器件、模块和板级方案，产品包括600V-2000V电压平台的碳化硅MOSFET和模块,、硅基超结SJ MOS、IGBT分立器件和模块、新型合封功率芯片和板级系统方案等。在供应链方面，萃锦半导体拥有海外成熟量产的碳化硅代工厂，每月可提供1000片以上的MOSFET，通过新筹建工厂的功率芯片中后道特色工艺线，萃锦半导体能够将碳化硅MOSFET的月产能提升至3000片。

合作方面，2022年3月，萃锦半导体与湖南功率半导体创新中心签订战略合作协议。该创新中心拥有功率模块封装设计中心、试制中心、检测中心（其中检测中心已获得CNAS资质），可以满足先进封装工艺的开发和车规级全套可靠性测试。    研发进展方面，2022年6月6日，萃锦半导体生产出首款碳化硅模块样品，样品通过全部动静态参数测试，性能指标完全达到设计要求。该碳化硅模块采用1200V碳化硅MOSFET芯片、三相全桥拓扑结构，引入低感设计、双面银烧结、铜线键合、高温灌封等技术，具有低杂散电感、优异的热管理结构、超低损耗、高输出功率、高可靠性等特点。