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重庆三安8英寸碳化硅衬底厂月底投产
日期:2024-08-30  239

 中国电子材料行业协会官微消息,在西部科学城,总投资约300亿元的三安意法半导体项目进入收尾阶段,其中,8英寸SiC衬底厂预计本月投产,比原计划提前2个月。据了解,三安意法半导体项目包含建设一座8英寸SiC晶圆厂和配套的一座8英寸SiC衬底厂,预计总投资约300亿元人民币,将整合8英寸车规级SiC衬底、外延、芯片的研发与制造。

 

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