据湖南三安半导体官微消息，日前，三安光电副总经理、湖南三安半导体董事长林志东受邀参加中法企业家委员会第六次会议闭幕式。会议期间，详细介绍了湖南三安半导体在SiC（碳化硅）项目方面的最新发展情况。

据悉，位于湖南湘江新区的湖南三安半导体责任有限公司，2020年落户长沙，总投资160亿元。目前，一期项目已于2021年6月投产，目前碳化硅年产能已达到25万片（6吋）。二期于2022年7月开建，总投资80亿元，将全部导入国际领先的8吋生产设备和工艺，计划今年三季度投产。整个项目达产后将实现总计年产48万片的规模。

该项目作为国内首个、全球第三个整合了SiC全产业链的研发与制造项目，核心是建设一个拥有自主知识产权的第三代半导体全产业链生产基地，主要产品包括以SiC、GaN（氮化镓）为代表的宽禁带半导体材料，覆盖从衬底材料、外延生长到晶圆制造及封装测试的整个生产流程。