半导体产业网讯 近日，宁夏石嘴山、盛剑环境半导体、河南省三门峡市渑池县、诚铭电子、长飞先进等相关半导体项目有新进展，详情如下：

宁夏石嘴山一半导体晶圆芯片项目开工建设 总投资15.2亿元

 5月8日，石嘴山高新技术产业开发区消息显示，年产60万片8英寸新能源半导体晶圆芯片智造孵化园项目在石嘴山高新区正式开工建设。石嘴山发布消息显示，据悉，年产60万片8英寸新能源半导体晶圆芯片智造孵化园项目计划投资15.2亿元，年产值达到30亿元以上，新增设备152余台（套），年设计生产沟道金属氧化物半导体势垒肖特基二极管晶圆60万片，规划总占地面积约296.27亩，建构筑物占地面积81851.49平方米，总建筑面积约为220629.59平方米，主要建设内容包括生产厂房、动力厂房、封装厂房、丙类厂房、综合仓、变电站、甲类库、大宗气站、生产调度楼、食堂、门卫等。据了解，肖特基势垒芯片或肖特基障垒芯片，是光伏发电组件的重要部件之一。肖特基芯片的导电是通过肖特基势垒，具有更低的导通损耗、反向截止更低漏电、快速开关和低噪声特性。

盛剑环境半导体先进绿色装备生产项目正式投产

5月9日，盛剑环境半导体先进绿色装备生产项目（以下简称“项目”）投产仪式顺利举行。盛剑环境泛半导体先进绿色装备生产项目由A股主板上市公司上海盛剑环境系统科技股份有限公司出资建设，总投资约4亿元，占地约115亩，总建筑面积约5.5万平方米，项目包含3栋厂房、1栋办公楼及其它配套设施。

据悉，湖北盛剑环境一期项目于2022年7月15日在孝正式投产，拥有多条半导体洁净室专用管道及环保设备生产线。为实现战略布局，进行半导体领域产业价值延伸，2023年5月10日，盛剑环境与孝感高新区签订盛剑环境泛半导体先进绿色装备生产项目合同，总投资4亿元，建设半导体配套先进绿色装备生产线。投产仪式的启动，为盛剑半导体先进绿色装备生产项目按下了“加速键”。项目达产后预计可实现年产值8亿元以上，年入库税收4000万元以上，提供就业岗位500个以上。

总投资10亿元，化合物半导体碳化硅材料和固废综合利用砷化镓衬底项目签约

 5月9日，河南省三门峡市渑池县化合物半导体碳化硅材料和固废综合利用砷化镓衬底项目签约仪式举行。据悉，此次签约项目总投资10亿元，其中年产2.5万片碳化硅导电型衬底加工产业化项目，建设6/8寸碳化硅衬底研发、生产线，形成2.5万片综合产能；年产40万片砷化镓晶体及衬底加工制造项目，规划占地1.2万平方米，建设砷化镓晶体及衬底加工的研发、生产、应用生产线及配套设施。

诚铭高端声学元器件项目开工 总投资3.5亿元

5月8日，诚铭电子科技有限公司高端声学元器件项目开工建设，项目总投资约3.5亿元，建成后可年产扬声器1亿只。诚铭电子高端声学元器件项目是常州市重大产业项目，项目新建3栋厂房及配套，新增总建筑面积约4万平方米。项目建成后，公司自主研发创新、技术成果转化、生产工艺水平和试验检测等能力都将大幅提升。

常州诚铭电子科技有限公司成立于2010年1月，注册资本2000万元，位于常州高新区，是一家专注于高端声学元器件研发、设计、生产、销售、服务的高新技术企业，面向智能家居、智能安防监控、新能源汽车、智能短交通、智能穿戴等诸多新兴科技领域提供声学解决方案和配套产品。

长飞先进武汉基地首栋建筑封顶，预计明年7月投产

日前，长飞先进武汉基地项目首栋宿舍楼提前封顶。这标志着，该项目进入投产倒计时，预计于今年6月全面封顶，明年7月投产。长飞先进武汉基地项目位于武汉新城中心片区，由长飞先进半导体（武汉）有限公司出资建设，总投资预计超过200亿元。项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，应用范围广泛覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域，致力于打造全智能化、世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂。项目建成后，将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地。 

项目由中建一局承建，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，主要建设内容包括芯片厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等，建设周期为578日历天。项目达产后，预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，产能位居全国前列，将促进设备、材料、设计、制造、封装、测试等产业链上下游通力合作，助力武汉打造国内化合物半导体产业高地，吸引世界级碳化硅半导体高端人才来武汉就业创业，助力形成创新活跃、要素齐全、开放协同的产业生态。

（根据公开信息整理，供参考）