国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法“，公开号CN117766561A，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，本发明公开了一种p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法，该晶体管包括衬底及衬底上依次层叠的缓冲层、n沟道层、势垒层、空穴提供层、势垒插入层和p沟道层，栅极、源极和漏极位于p沟道层上，其中所述势垒插入层的禁带宽度相对于空穴提供层和p沟道层的禁带宽度大，这样势垒插入层将会把空穴提供层的能带压下来进而使得该层内空穴完全电离，并将完全电离的空穴转到顶部p沟道层中，顶部p沟道层充当p型导电沟道的作用，这增加了载流子密度，进而实现电流密度的增加。本发明既可以通过控制刻蚀深度来实现增强型器件，又可以通过势垒插入层极化诱导底层空穴完全电离实现相对高的电流密度。