其中，聚焦高水平科技供给，实施关键核心技术攻坚提质行动。积极争取国家重点研发计划、关键核心技术攻关等国家任务。着力服务太忻一体化经济区建设，在先进制造业、半导体等领域，以“揭榜挂帅”方式，新布局实施一批科技重大专项。在高端装备制造、信创、新材料等方面系统梳理产业链上下游重点环节技术瓶颈，精准部署100项重点研发计划项目。从创新平台基地建设、科技成果转化引导、科技战略研究、科技合作交流、创新人才团队、创新服务能力、科技奖补、科技金融以及科普宣传等9方面实施300个专项项目，提升产业链供应链韧性。聚焦高起点平台培育，实施创新平台建设提质行动，启动国家第三代半导体技术创新中心(山西)建设。
 

恰逢其时，全国MOCVD学术会议作为MOCVD技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台，自1989年第一届会议举办以来，已经成功举办了十六届，会议规模和影响力越来越大，成为全国学术界和产业界广泛参与的学术盛会。第十七届全国MOCVD学术会议将于8月15-18日在山西太原召开！

本届大会是在国家科学技术部指导下，由中国有色金属学会、中国科学院半导体研究所、中关村半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟联合主办，半导体照明联合创新国家重点实验室、北京第三代半导体材料及应用工程技术研究中心、山西中科潞安紫外光电科技有限公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，山西大学、中北大学、山西师范大学等单位协办支持。

 

金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术自二十世纪六十年代提出以来，取得了飞速进步，已经广泛应用于制备III族氮化物、III-V族化合物、碲化物、氧化物等重要半导体材料及其量子结构，极大地推动了光电子器件和微电子器件与芯片的发展及产业化，也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料及相关器件研究的关键技术。未来MOCVD技术的发展将会给化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。

 

为此，大会以“探索材料新动能·智创未来芯发展”为主题，届时与会专家学者、工程技术人员和企业家将围绕MOCVD生长机理与外延技术、MOCVD设备（整机/部件/配件/原材料）、材料结构与物性、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件、LED智能照明与物联网、半导体激光器、光伏/光探测器、可见光通信技术等领域开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作。这次会议必将对我国MOCVD学术研究、技术进步及半导体产业发展起到有力的推动作用。

 

同时，大会征文活动同步启动，将面向外延生长机理和生长动力学，半导体材料结构与物性，光电子材料与器件，电子材料与器件，超宽禁带半导体材料与器件，低维半导体等新型材料与器件，封装技术及封装材料，装备与基础原材料等方向展开广泛征文。》》》点击查看详情