据披露，项目计划购置94.7亩用地建设天域半导体碳化硅外延材料研发及产业化项目，用于碳化硅外延关键技术的研发及全球首条8英寸碳化硅外延晶片生产线的建设。项目主要内容为新增产能达100万片/年的6英寸/8英寸碳化硅外延晶片生产线；8英寸碳化硅外延晶片产业化关键技术的研发；6英寸/8英寸碳化硅外延晶片的生产和销售。
此外，《方案》显示，天域半导体是国内首家专业从事第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）外延晶片研发、设计、制造与销售的国家级高新技术企业，且在松山湖已耕耘超过 10 年，2010年，天域半导体与中国科学院半导体研究所合作，共同创建了碳化硅研究所，成为全球碳化硅外延晶片的主要生产商之一。目前公司国内主要客户有：株洲中车、国家电网、美国 X-FAB、华润微电子、泰科天润、上海积塔、香港 APS、比亚迪等国际知名企业，以及数十家国内知名的大学、研究所、设计公司；海外芯片客户也逐步拓展，包括：日本日立和罗姆、美国德州仪器（X-Fab）和德国英飞凌等。
此外，《方案》显示，天域半导体是国内首家专业从事第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）外延晶片研发、设计、制造与销售的国家级高新技术企业，且在松山湖已耕耘超过 10 年，2010年，天域半导体与中国科学院半导体研究所合作，共同创建了碳化硅研究所，成为全球碳化硅外延晶片的主要生产商之一。目前公司国内主要客户有：株洲中车、国家电网、美国 X-FAB、华润微电子、泰科天润、上海积塔、香港 APS、比亚迪等国际知名企业，以及数十家国内知名的大学、研究所、设计公司；海外芯片客户也逐步拓展，包括：日本日立和罗姆、美国德州仪器（X-Fab）和德国英飞凌等。
项目计划自投产之年起，研发人员占比不低于15%，2年内引进人才不低于200名，其中引进本科及以上人员占员工总数不低于60%，硕士及以上人员占员工总数不低于10%；每年度研发投入比例不低于5%。
项目计划2022年动工，预计2025年竣工并投产，项目建设完成投产后预计2025年可实现年营收8.7亿元、年纳税3400万元；项目预计2028年全面达产后可实现年营收84.7亿元、2028年-2031年每年营收可达80~110亿元。2028年抵扣完前期投资的进项增值税额后，2029年到2031年三年内，每年可稳定缴纳税款4亿元。
该项目核心产品SiC外延片是第三代半导体产业链重要环节，属于高精尖产业，天域半导体是SiC外延片领域国内领先的厂家之一，正利用该项目对其产业基础进一步巩固，紧跟国际SiC前沿技术前进的步伐。