钛信资本创始人高毅辉表示：“氮化镓作为一种新型半导体材料，是一个崭新的领域，也是为数不多与国外差距不大、我国最有可能实现弯道超车的领域之一，市场前景非常广阔。英诺赛科是氮化镓领域全球龙头，在团队、技术、产能、客户等方面都已达到领先的位置。英诺赛科由原美国宇航局（NASA）科学家骆薇薇博士带队，聚集了来自全球知名半导体企业的氮化镓领域全球顶尖人才，具备丰富的研发、建厂、制造（工艺）和运营经验。公司成立不久就建成中国首条8英寸硅基氮化镓生产线，目前已经开始实现大规模量产，产能国内第一，还在持续快速爬升，公司客户开拓进展也远领先于竞争对手。随着氮化镓应用市场迎来快速增长，我们非常看好公司的成长潜力，将以充足的支持助力其全面发展。”
英诺赛科（苏州）科技有限公司于2015年成立，是第三代半导体硅基氮化镓领域全球龙头，也是全球唯一实现同时量产氮化镓高、低压芯片的IDM企业。英诺赛科技术处全球第一梯队，产能国内第一，消费级市场中快充产品已领先于市场快速放量，未来数据中心、5G基站、新能源汽车等市场将持续接力构成公司增长曲线。
英诺赛科是跻身全球氮化镓产业第一梯队的国产半导体企业代表，是硅基氮化镓领域全球龙头。英诺赛科通过自主研发，攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓单晶材料的世界级难题，首次实现8英寸硅基氮化镓外延与芯片的大规模量产，同时填补了国内在该领域的空白。在非常短的时间内，英诺赛科打破了美国技术垄断，实现了国产氮化镓芯片的崛起。根据Trendforce 2021年数据，英诺赛科氮化镓功率产品全球市场占有率一举攀升至20%，跃升为全球第三，排名仅次于纳微、PI。
据介绍，从核心技术的维度看，英诺赛科的核心技术集中于8英寸GaN-on-Si的外延、器件技术和工艺技术。以8英寸GaN-on-Si外延为例，英诺赛科正在使用最新一代的 Aixtron MOCVD reactor G5+C 来生产8英寸GaN-on-Si晶圆。此外，英诺赛科开发了专为优化高压(HV)和低压(LV)器件的8英寸GaN-on-Si外延缓冲技术。通过内部控制外延技术，可以快速调整外延制程，以适应特定的需求或应用。
从技术储备的维度看，根据智慧芽数据显示，英诺赛科及其关联公司，目前在全球126个国家/地区中，共有超过230件专利申请。值得注意的是，上述专利中近90%为发明专利。进一步分析来看，英诺赛科当前的专利布局，主要集中于氮化镓、功率器件等相关技术领域。
目前，英诺赛科是全球唯一实现同时量产氮化镓高、低压芯片的半导体企业，高压快充产品出货已达数千万颗，低压产品成功取代了某电源管理技术世界领先供应商产品，成为中国领先的激光雷达企业禾赛科技的供应商。此外，英诺赛科还与小米、OPPO、比亚迪、安森美、MPS等国内外厂商开展应用开发合作。