GaN器件在光电、微波与功率领域得到了广泛的应用，具有显著的性能优势。据Yole Development预测，2022 年GaN功率器件市场规模将达到 4.5亿美元，年复合增长率91%。当前增长最快的是以PD快充为代表的消费类应用 。 该领域 2019年、2020年GaN器件销量分别为200万、2000万颗，2021年 预计超过1亿颗，呈指数型增长态势。

 

9月13-14日，“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办，并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。

会上，青岛聚能创芯微电子有限公司应用技术总监刘海丰带来了题为“面向快充应用的GaN材料和器件技术”的主题报告。报告指出，随着人工智能与5G通讯技术的发展，对智能终端快速充电提出了更高要求，需要采用新型半导体器件以提升快充效率、减小快充体积。作为第三代半导体，GaN器件得益于材料优势，在速度、效率、耐高温等方面均优于传统硅器件，在功率系统领域具有广泛的应用前景。

 

在此背景下，北京赛微电子着手布局了聚能晶源与聚能创芯项目，开展GaN材料与器件产业化工作。基于两项目实施，可实现GaN材料、器件与应用的国产化供应，为5G通讯、智能终端、大数据、自动驾驶等领域，提供新型功率器件产品与技术解决方案。

 

聚能晶源掌握领先的8英寸GaN-on-Si、6英寸GaN-on-SiC外延技术；产品线包括AlGaN/GaN、P-GaN、GaN-on-HRSi等，面向功率与微波应用。聚能晶源拥有业界领先的AixtronG5+MOCVD设备，可以实现高质量低成本6-8英寸外延材料生长。聚能晶源一期建成产能为年产1万片GaN外延晶圆，在规划的二期项目中，产能将达到年产20万片GaN外延晶圆。