氮矽科技成立于2019年，公司位于四川成都，公司主要研发基于第三代半导体材料氮化镓（GaN）的芯片，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供。目前，氮矽科技的功率氮化镓产品已批量出货，主要运用于快消品市场。从2018年开始，小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo等手机品牌率先推出快速充电头，相比于传统硅材料，氮化镓芯片具有超低Rds(on)、高击穿电压、高功率、高频率、小尺寸等优势，能不断缩小PD快充头的体积、增大PD快充头的功率，备受厂家喜爱。

 

从技术路线上看，国外设计公司Navitas采用的是单片集成路线，国内氮化镓IDM龙头英诺赛科走分离器件路线，氮矽科技选择在高压端（>600V）采用分离以及系统级封装集成路线，在低压端（<200V）增加单片集成选项。以提高器件的可靠性安全性为理念，氮矽科技目前已发布推出驱动芯片DX1001、传统封装功率器件产品DX6507X、DX6510X、DX6515X、先进封装功率器件产品DX6507E、DX6510E、先进封装合封产品DX6521E等多样化产品以供客户选择。其中，DX6510E（PDDFN4*4）是目前全球最小的650V氮化镓芯片，被ASPENCORE评选为2021年度最佳新材料器件奖。

 

此外，在氮化镓栅极驱动领域，氮矽科技完成了100V功率氮化镓半桥驱动芯片的流片测试，并将于2021年Q3发布；在晶体管与驱动集成领域，氮矽科技将于8月底发布氮化镓晶体管与其驱动芯片的合封产品，同时完成了低压氮化镓单片集成芯片的研发与流片。在市场与销售端，氮矽科技的功率氮化镓产品DX6510X和DX6515X已批量出货。在商业模式上，由于氮化镓才处于起步阶段，客户对这种产品了解较少，氮矽科技通过为客户提供整体解决方案的方式方便客户的使用。产能方面，氮矽科技的代工厂即将建设一个月产能6000~10000片的工厂，氮矽科技的产能是有保障的。

 

在团队成员方面，氮矽科技董事长罗鹏是德国勃兰登堡州科技大学硕士，博士。博士后就职于德国柏林费迪南德布朗-莱布尼茨研究所，精通氮化镓器件物理特性，有近10年第三代半导体氮化镓的研发工作经验。目前公司共有十数人。