半导体产业发展至今经历了三个阶段，第一代半导体材料以硅为代表，第二代半导体材料砷化镓也已经广泛应用，而以氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等为代表的第三代半导体材料。相较前两代产品性能优势显着，凭借其高效率、高密度、高可靠性等优势，在新能源汽车、通信以及家用电器等领域发挥重要作用，成为业内关注的新焦点。

常见的第三代半导体材料包括：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石、氧化锌、氮化铝等。其中，从SiC和GaN技术发展相对成熟，已经开始产业化应用，而金刚石、氧化锌、氮化铝等材料尚处于研发起步阶段。

在全球科技的博弈下，大众对于半导体的认知更深入，今年普及的热门领域是材料学的第三代半导体。作为半导体产业链中的新机遇，第三代半导体受到热捧，国内各省市也纷纷加速布局，推动产业发展，长三角和珠三角仍是实力雄厚的两大区域。各地争先规划的背后，是对半导体产业的重视和新突破点的筹谋。一方面，第三代半导体产业市场正在加速潜行，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）发布的《第三代半导体产业发展报告（2020）》指出，未来5年将是第三代半导体产业发展的关键期，全球资本加速进入第三代半导体材料、器件领域，产能大幅度提升，企业并购频发，正处于产业爆发前的“抢跑”阶段。

 

另一方面，第三代半导体的需求在持续爆发，应用场景包括5G基站中的功率放大器、5G通信电源；新能源汽车逆变器、以及充电桩电源模块；数据中心和工业互联网中的服务器电源；特高压、轨道交通的电源；手机快充等等。根据Yole和Omdia数据，到2020年底，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体的全球市场将增长到8.54亿美元，SiC电力电子市场规模约为7.03亿美元，GaN电力电子市场规模约为1.51亿美元。到2025年SiC电力电子市场规模将超过30亿美元，GaN电力电子器件市场规模将超过6.8亿美元。

全球 SiC产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势。其中美国全球独大，全球SiC产量的70%~80%来自美国公司，典型公司是Cree、Ⅱ-Ⅵ；欧洲拥有完整的SiC衬底、外延、器件以及应用产业链，典型公司是英飞凌、意法半导体等；日本是设备和模块开发方面的领先者，典型公司是罗姆半导体、三菱电机、富士电机等。

尽管目前国内第三代半导体在规模和技术方面发展迅速，但和国际上的主要公司相比仍然有不小差距。与国际企业相比，我国第三代半导体产业规模仍然较小，企业优势不明显。根据CASA Research的不完全统计，截至2020年底，国内有超过170家从事第三代半导体电力电子和微波射频的企业（2018年这个数字尚不足100家），覆盖了从上游材料的制备(衬底、外延)、中游器件设计、制造、封测到下游的应用，基本形成完整的产业链结构。

因此，地方政府和企业们也在新赛道上提速卡位，不过需要指出的是，目前半导体市场90%仍然是以硅材料为代表的第一代半导体，第三代半导体的市场份额不到10%，和一代二代形成互补，还需要继续攻坚和培育。