基于以上问题，广东省科学院半导体所先进材料平台前期利用原位纳米孔洞方法大幅提高位错湮灭和应变弛豫效率，制备出5.6微米厚的低位错密度、无裂纹AlN，该成果先后被半导体领域知名媒体杂志《Semiconductor Today》（论文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.cgd.1c00170）以“头条新闻”形式报道2次，并作为国家重点研究计划“大失配、强极化第三代半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律”项目的代表性进展交流汇报。
近期，为进一步简化生长方法和降低制备成本，先进材料平台基于“两步生长法”技术路线，引入“之”字形宏台阶诱导的位错倾斜和相互作用，在AlN厚度仅为1微米的前提下，将位错密度降至1.4E9 cm-2，在采用相同技术路线的指标对比中处于国际前列。
图：利用“之”字形宏台阶诱导位错倾斜和相互作用的原理以及“两步生长法”位错密度(TDD)的国际指标对比
该项工作部分结果以“Low-Defect-Density Aluminum Nitride (AlN) Thin Films Realized by Zigzag Macrostep-Induced Dislocation Redirection”为题发表在美国化学学会晶体学权威期刊Crystal Growth & Design。省科学院半导体所何晨光博士为论文第一作者，陈志涛博士和赵维博士为论文共同通讯作者，该工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、广东省重点研发计划和广东省科学院建设国内一流研究机构行动专项等项目的资助。来源：广东省科学院
近年来，宽禁带半导体已成为全球高技术竞争战略制高点之一，国际半导体及材料领域研究和发展的热点，基于宽禁带半导体材料，半导体照明已经形成巨大规模的产业，并在电子功率器件领域继续深入发展。为推动我国宽禁带半导体领域的发展，加强各界交流与协同创新，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会共同主办，厦门大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟联合承办的“第四届全国宽禁带半导体学术会议（WBSC）”将于2021年10月12-15日在厦门举办。
本届论坛，以“芯动力·新征程——宽禁带半导体的机遇与挑战”为主题，届时来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表等，将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研用的交流合作。深信这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用。目前会议论文征集正在进行中，欢迎相关领域的专家、学者、行业企事业单位积极投稿、参会交流！
