政策规划
东莞松山湖科学城发展规划公示:攻关第三代半导体核心材料,建设半导体重点实验室
日期:2021-05-18  292
近日,《松山湖科学城发展总体规划(2021—2035年)》(以下简称《规划》)的基本情况及所涉及的内容对外公示并征询公众意见。
 
根据这一规划,东莞松山湖科学城将以打造全球具有重要影响力的科学城为总目标,并试水首席科学家等制度从而全面探索机制体制创新。
 
《规划》提出,要牢牢把握“三区叠加”重大机遇,以打造全球具有重要影响力的科学城为总目标,构建基础科研体系、推动核心技术研发,加强区域开放合作、深化体制机制创新、完善城市综合服务,努力建成重大原始创新策源地、中试(中间性试验)验证和成果转化基地、粤港澳合作创新共同体、体制机制创新综合试验区。
 
根据《规划》,松山湖科学城将建设中试验证和成果转化应用平台,新型半导体前沿技术创新平台、智能无线射频技术研究平台、材料性能测试评价中心、石墨烯规模化制备中心、新材料产品联合创新中心等。
 
其中,新型半导体前沿技术创新平台将组建半导体实验平台、薄膜生成技术平台等,重点开展以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表的第三代半导体材料与器件的基础研究与应用研究。建立新型半导体材料结构分析与器件应用中试平台、先进封装测试中试平台、材料及器件检测/可靠性与认证平台、重点应用场景验证平台,提升新型半导体材料与器件的研发速度,加速推动相关成果转化应用。
 
松山湖科学城还将加快布局集成电路产业,发挥东莞龙头企业创新引领作用,重点发展集成电路设计、封测、关键设备和材料。支持企业开发CPU、GPU、存储器等集成电路高端通用器件,加快第三代半导体器件研制,鼓励第三代半导体材料、靶材、光刻胶、感光胶等核心材料技术攻关,强化堆叠式封装等先进工艺开发。积极争取国家、省、市集成电路产业基金以及政策性银行的资金支持,加快打造高性能集成电路全链条产业基地。
 
此外,《规划》还提出,探索建设半导体重点实验室。聚焦国际半导体材料科学前沿,开展半导体材料与器件的基础研究与应用研究,为国家解决“卡脖子”技术问题提供重要支撑。
 
支持科学城内高校与国际知名高校开展高水平合作办学,支持高等院校成立微电子相关学院、增设半导体相关专业,推动高校联合发展。
 
突破材料科学关键技术,重点围绕半导体材料、超导材料、磁性材料、纳米材料和医疗增材等产业,在材料性能及成份控制、高性能碳纤维、高性能永磁、宽禁带半导体、石墨烯、金属及高分子增材制造材料、智能仿生与超材料、新型低温超导材料等领域突破一批关键核心技术。开展半导体材料与器件的基础研究与应用研究,加快掺杂技术、薄膜生成技术、图形转换技术、新型电子材料等关键核心技术的研究突破。
 
《规划》还明确,加强晶圆制造、掺杂技术、薄膜生成技术以及图形转换等技术研发,提高芯片集成程度,促进高端芯片研发。加强对电子材料和部件的缺陷及应力进行深度检测,实现对电子器件材料的结构分析与性能测试。
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