近日，《松山湖科学城发展总体规划（2021—2035年）》（以下简称《规划》）的基本情况及所涉及的内容对外公示并征询公众意见。

 

根据这一规划，东莞松山湖科学城将以打造全球具有重要影响力的科学城为总目标，并试水首席科学家等制度从而全面探索机制体制创新。
 

《规划》提出，要牢牢把握“三区叠加”重大机遇，以打造全球具有重要影响力的科学城为总目标，构建基础科研体系、推动核心技术研发，加强区域开放合作、深化体制机制创新、完善城市综合服务，努力建成重大原始创新策源地、中试（中间性试验）验证和成果转化基地、粤港澳合作创新共同体、体制机制创新综合试验区。
 

根据《规划》，松山湖科学城将建设中试验证和成果转化应用平台，新型半导体前沿技术创新平台、智能无线射频技术研究平台、材料性能测试评价中心、石墨烯规模化制备中心、新材料产品联合创新中心等。
 

其中，新型半导体前沿技术创新平台将组建半导体实验平台、薄膜生成技术平台等，重点开展以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表的第三代半导体材料与器件的基础研究与应用研究。建立新型半导体材料结构分析与器件应用中试平台、先进封装测试中试平台、材料及器件检测/可靠性与认证平台、重点应用场景验证平台，提升新型半导体材料与器件的研发速度，加速推动相关成果转化应用。
 

松山湖科学城还将加快布局集成电路产业，发挥东莞龙头企业创新引领作用，重点发展集成电路设计、封测、关键设备和材料。支持企业开发CPU、GPU、存储器等集成电路高端通用器件，加快第三代半导体器件研制，鼓励第三代半导体材料、靶材、光刻胶、感光胶等核心材料技术攻关，强化堆叠式封装等先进工艺开发。积极争取国家、省、市集成电路产业基金以及政策性银行的资金支持，加快打造高性能集成电路全链条产业基地。
 

此外，《规划》还提出，探索建设半导体重点实验室。聚焦国际半导体材料科学前沿，开展半导体材料与器件的基础研究与应用研究，为国家解决“卡脖子”技术问题提供重要支撑。
 

支持科学城内高校与国际知名高校开展高水平合作办学，支持高等院校成立微电子相关学院、增设半导体相关专业，推动高校联合发展。
 

突破材料科学关键技术，重点围绕半导体材料、超导材料、磁性材料、纳米材料和医疗增材等产业，在材料性能及成份控制、高性能碳纤维、高性能永磁、宽禁带半导体、石墨烯、金属及高分子增材制造材料、智能仿生与超材料、新型低温超导材料等领域突破一批关键核心技术。开展半导体材料与器件的基础研究与应用研究，加快掺杂技术、薄膜生成技术、图形转换技术、新型电子材料等关键核心技术的研究突破。
 

《规划》还明确，加强晶圆制造、掺杂技术、薄膜生成技术以及图形转换等技术研发，提高芯片集成程度，促进高端芯片研发。加强对电子材料和部件的缺陷及应力进行深度检测，实现对电子器件材料的结构分析与性能测试。