南京集芯光电技术研究院有限公司技术总监雷建明将受邀出席论坛，并分享“氮化镓功率开关器件及其在超轻薄开关电源领域的应用研究”的主题报告。

 

GaN功率开关器件替换Si基MOSFET器件在开关电源中应用，并非简单意义上的直接替换。GaN基电源最大的特点是将工作频率提高数十倍，然而，工作频率的提高会带来更为严峻的噪声处理问题。另一方面，GaN器件阈值电压低、抗噪声能力弱，且存在固有的物理缺陷。报告将从器件、驱动、控制、拓扑电路等方面全方位提出解决方案，在实现超轻薄目标的基础上，进一步提升产品的效率和工作可靠性。

 

雷建明博士主要从事 GaN HEMT 器件的动态特性表征、可靠性分析及其在开关电源中的电路模块设计、产品可靠性研究。具有十年电源设计和企业管理工作经验，曾任外企总工程师和国内上市公司部门经理，已开发出十多款基于 GaN 器件的驱动电路模块。主持省市级课题2项，获已授权发明专利13项，其中2项国际发明专利，发表SCI论文9篇。

 

南京集芯光电技术研究院有限公司是2018年成立的南京市新型研发机构。企业的定位是进行科研成果转化工作，同时承担了产业项目孵化和引进的职能。研究院经过3年运营，形成了以光电技术为主，高新材料、节能环保、信息工程、先进制造为辅的五个产业方向。技术水平领先，第三代半导体材料和器件产品是研究院的特色技术产品。目前已经具备氮化镓功率器件设计、超薄轻快电源设计、生产、销售的能力。

 

时间：2021年4月21日（09：00-17:30）

 

地点：上海·上海世博展览馆1号馆-NEPCON剧院（上海市浦东新区国展路1099号）