技术
台积电3nm制程预计下半年试产量产
日期:2021-02-22  511
台积电董事长刘德音近日受邀于2021年国际固态电路会议(ISSCC2021)开场线上专题演说时指出,台积电3nm制程依计划推进,甚至比预期还超前了一些。3nm及未来主要制程节点将如期推出并进入生产。台积电3nm制程预计今年下半年试产,明年下半年进入量产。
 
 
刘德音指出半导体制程微缩脚步并未减缓,摩尔定律仍然有效,台积电3nm比预期进度超前,至于2nm之后的电晶体架构将转向环绕闸极(GAA)的nm片(nano-sheet)架构,而极紫外光(EUV)技术可支持到1nm。
 
台积电2020年推出5nm制程并进入量产,与7nm相较,逻辑密度提升1.83倍,运算速度增加13%,运算功耗下降21%。台积电预计2022年推出3nm制程,与5nm相较逻辑密度提升1.7倍,运算速度提升11%且运算功耗可减少27%。
 
台积电日前宣布将在日本成立研发中心扩展3DIC材料研究,刘德音也提及台积电在新材料上的技术创新,包括六方氮化硼(hBN)已接近实现量产。他强调,系统整合是半导体未来发展方向,Chiplet(小芯片)是能让技术朝向正确方向发展的关键,而台积电的SoIC先进封装技术可实现3D芯片堆迭。
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