NXH40B120MNQ系列全SiC功率模块集成了一个1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有双升压级的1200 V，40 A SiC升压二极管。 SiC技术的使用提供了实现太阳能逆变器等应用中所要求高能效水平所需的低反向恢复和快速开关特性。

安森美半导体先进电源分部高级副总裁Asif Jakwani说：“碳化硅技术有潜力变革能源市场。安森美半导体开发的全SiC集成功率模块解决了太阳能逆变器在提升功率水平下对更高系统能效的需求，并证实SiC技术的成熟。”

 

台达光伏逆变器事业部主管Raymond Lee说：“我们专注于提供创新、清洁和节能的方案，以打造更美好的明天，我们一直在寻求与可帮助我们实现最高能效、减小产品体积和重量并满足全球太阳能光伏市场需求的供应商合作。选用安森美半导体的全SiC功率模块用于我们的M70A 70kW三相光伏组串逆变器，因为它们提供同类最佳的性能，再结合我们在高能效电力电子领域的独特专知，使我们的产品能实现高达98.8％的峰值能量转换能效。”

 

作为安森美半导体不断增长的基于宽禁带(WBG)技术的功率集成模块(PIM)阵容的一员，NXH40B120MNQ集成度高，引脚分配针对逆变器设计进行了优化。 通过使用SiC器件，功率模块提供低导通和开关损耗，从而支持使用更高的开关频率，有助于提高逆变能效。 这些模块易于使用，可根据客户的喜好，采用无焊压合连接和客户定义的热接口选项。

 

NXH40B120MNQ全SiC电源模块有2通道和3通道版本，还有2通道模块NXH80B120MNQ0，集成了一个1200 V、80 mΩ SiC MOSFET和1200 V、20 A SiC二极管。