项目动态
百亿第三代半导体项目落地济南 华为、长鑫、武汉新芯、瓴盛“芯”消息不断
日期:2020-04-13  512
   长鑫存储产能正在爬坡、武汉新芯产能利用率达到100%、百亿中鸿新晶第三代半导体产业集群项目落地济南、华为自研GaN快充充电器主控芯片、日月光拿下中兴通讯(39.290, -1.83, -4.45%)5G基站芯片订单、云塔科技推出自主研制5G毫米波滤波器……。
 
  签约、开工浪潮过后,本周有部分重大项目与企业传捷报。
 
  长鑫存储
 
  据新华社报道,在长鑫存储技术有限公司,一台台来自全球各地的设备正在紧锣密鼓地安装调试中。这是长鑫存储2019年投产的内存芯片设计和制造项目,它给全球半导体设备和耗材供应商带来共赢商机。长鑫存储执行副总裁刘红雨表示,公司产品已通过部分头部企业的产线验证,产能正在爬坡,今年计划月产4万片12英寸晶圆。
 
  武汉新芯
 
  据武汉新芯官方消息,在70多天的防疫战中,武汉新芯厂内员工、厂商人员及所有后勤保障人员无一感染。同时,随着武汉防疫形势的好转,武汉新芯也从3月28日开始,产能利用率达到100%,并从4月6日开始,连续创出日运载率指数历史新高。
 
  此外,在过去两个多月的防疫战中,武汉新芯综合产能利用率始终保持在70%以上。
 
  中鸿新晶第三代半导体产业集群项目
 
  4月8日,中鸿新晶第三代半导体产业集群项目(彩虹集团LED)签约落地济南。中鸿项目计划总建设周期5年,项目总投资111亿元,完成并购瑞典ASCATRON公司,致力于打造全球领先的“国家级战略新兴半导体研究院”。
 
  该项目一期产业投资8亿元,计划3年内完成第三代半导体产业集群初步建设,完成深紫外LED生产线20条,6-8英寸碳化硅单晶生产、加工、碳化硅外延生产线各2条,氮化镓中试线1条。一期完成后,将实现年产值20亿元。项目二期投资51亿元,完成第三代半导体产业基金的募集工作,并购瑞典ASCATRON(艾斯科强)公司,计划2年内完成6-8英寸碳化硅单晶扩产、6-8英寸氮化镓外延、射频器件、功率器件生产线各1条。二期完成后,将实现年产值120亿元。项目三期投资52亿元,将ASCATRON公司后续芯片生产全部转移至中国,项目建成后预期将带动上下游产业近千亿元产值。
 
  徐州鑫晶半导体大硅片项目
 
  据徐州日报报道,作为江苏省级重大产业项目,徐州鑫晶半导体大硅片项目年内将全部竣工投产。
 
  徐州鑫晶半导体大硅片项目总投资150亿元,一期投资94.5亿元,是协鑫集团在江苏鑫华半导体项目投产之后,在徐州的又一布局。该大硅片项目规划建设国际先进的8英寸、12英寸半导体大硅片长晶及切磨抛生产线,规划产能各30万片/月。2019年12月9日,徐州鑫晶半导体12英寸大硅片长晶产线试产成功。
 
  靖江先锋半导体
 
  自2019年启动新厂区建设后,目前靖江先锋半导体科技有限公司基建工程主体已经完工,预计6月份投产。据靖江市科学技术协会消息,目前,该企业新研发的用于5纳米芯片工艺的刻蚀机核心零部件已经研发成功,在新厂区投用后即将投入生产。
 
  华为
 
  4月8日晚,华为2020春季新品发布会正式发布65W GaN双口超级快充充电器,支持Type-A和Type-C双口充电,能给手机、平台和PC充电。
 
  关于华为GaN快充充电器的电源管理IC芯片,据《科创板日报》报道,有行业人士推测为华为所投的杰华特和海思共同开发的自研芯片。
 
  但《科创板日报》记者分别从供应链和华为内部获悉,这款充电器的主控功率IC芯片,实际由华为自研,而杰华特并没有参与,并从供应链获悉,华为充电器新品整体外包给住友电工,核心的GaN MOSFET由稳懋半导体代工。
 
  此外,据The Elec本周报道,华为公司今年将在韩国成立云计算和人工智能业务集团,以打入目前由英伟达主导的GPU服务器市场。
 
  日月光
 
  据电子时报报道,继华为海思后,日月光投控进一步以2.5D/interposer技术为基础的先进封测制程,拿下中兴通讯自主开发5G基站芯片量产大单。
 
  云塔科技
 
  近日,安徽云塔电子科技有限公司联合中国科学技术大学微电子学院,发布了其自主研制的5G毫米波滤波器。
 
  云塔科技向集微网记者表示,目前在全球范围内,工作在毫米波频段的微型滤波器解决方案近乎空白。这是中国厂商首次在5G毫米波频段研制成功该类微型化滤波器产品,尺寸仅为2.5×2.0mm。
 
  瓴盛科技
 
  集微网还从业内人士处获悉得知,瓴盛科技即将推出第一款面向多领域的AIoT芯片产品,该款芯片一次性流片成功,预计将于今年下半年正式量产。
 
  (原标题:一周动态:百亿第三代半导体项目落地济南,华为、长鑫、武汉新芯、瓴盛“芯”消息不断)
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